【摘要】 本发明涉及基因组的检测方法，特别是涉及辐射诱发基因组不稳定性的检测方法。本发明所述的检测方法，先给予细胞首次照射，并测定其SCGE与微核发生率，然后对受照后存活的各剂量点的细胞传25代后，测定SCGE与微核发生率，然后对受照后存活的各剂量点的第26或以后的传代细胞进行二次照射，再次测定SCGE结果与微核发生率，通过比较SCGE与微核发生率，即可明显看出二次照射可以诱发基因组不稳定性，细胞表现出明显的扩大损伤效应。采用本发明所述的方法，可以直接检测到基因组不稳定性，克服了传统的直接检测所需观察时间长和发生率太低难以在常规实验条件观察到基因组不稳定性的缺点。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国辐射防护研究院 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】030006 山西省太原市学府街102号 【申请人地区】中国 【申请人城市】太原市 【申请人区县】小店区 【申请号】CN200810227994.5 【申请日】2008-12-04 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101748203A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】C12Q1/68; C12Q1/02 【发明人】左雅慧; 王仲文; 王小莉; 王放 【主权项内容】辐射诱发基因组不稳定性的检测方法，包括以下步骤：(1)取对数生长期的CHL细胞消化后，在冰浴条件下进行60Coγ射线照射，照射时分别采用不同的照射剂量，然后对照射后各个剂量点的CHL细胞立即进行克隆形成率、单细胞凝胶电泳、微核形成率的测定；(2)对受照后存活的各剂量点的细胞传25代后，进行单细胞凝胶电泳、微核发生率和染色体畸变率的检测；(3)对受照后存活的各剂量点的第26代或者以后的传代细胞，在与步骤(1)中相同的条件下再次用60Coγ射线照射，照射剂量均为≥2Gy，照射后立即进行克隆形成率、单细胞凝胶电泳、微核形成率的测定。 【当前权利人】中国辐射防护研究院 【当前专利权人地址】山西省太原市学府街102号
