【摘要】 本发明涉及半导体薄膜材料，特别涉及宽禁带半导体材料。包括衬底、缓冲层和外延层，其缓冲层是在Si基片上利用脉冲激光沉积方法沉积形成的GaN膜层，后经退火形成GaN结晶膜层，厚度为50nm。制备方法，包括Si基片的清洗、制备GaN缓冲层及制备ZnO薄膜。制备GaN缓冲层是在Si基片上，利用脉冲激光沉积方法，在1.3Pa氮气氛围、800℃衬底温度下生长15分钟，后在退火炉中、氨气氛围中退火20分钟形成GaN膜层。本发明的氧化锌薄膜，利用氮化镓作为硅衬底与氧化锌薄膜之间的缓冲层，减少了由晶格失配和热膨胀系数失配带来的晶格缺陷，提高了在Si衬底上制备ZnO薄膜的结晶质量，增大了ZnO薄膜发光强度。 【专利类型】发明授权 【申请人】济南大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】250022 山东省济南市市中区济微路106号 【申请人地区】中国 【申请人城市】济南市 【申请人区县】市中区 【申请号】CN200810238526.8 【申请日】2008-12-18 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101494269B 【公开公告日】2010-05-12 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101494269B 【授权公告日】2010-05-12 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L33/00; H01L21/203 【发明人】魏显起; 金卫东 【主权项内容】一种具有缓冲层的氧化锌薄膜的制备方法，包括Si基片的清洗、制备GaN缓冲层及制备ZnO薄膜，其特征在于，所制备GaN缓冲层是在Si基片上，利用脉冲激光沉积方法，先通过机械泵抽真空至10Pa，然后通过分子泵抽本底真空至5×10-5Pa，在1.3Pa氮气氛围、800℃衬底温度下生长15分钟，后在退火炉中、氨气氛围中退火20分钟形成GaN结晶膜层。 【当前权利人】济南大学 【当前专利权人地址】山东省济南市市中区济微路106号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12370000495570899E 【引证次数】7.0 【他引次数】7.0 【家族引证次数】7.0 【家族被引证次数】2
