【摘要】 本发明公开一种熔焊工艺，特别涉及公开一种插座的锡圈熔焊工艺。本发明的熔焊工艺利用锡圈的自熔成液体后向烧结件结合面的四周流入及与插座外壳的镀层“浸润”来密封烧结件与插座外壳的结合面，在实施的过程中无需使用任何的助焊剂，不会污染插座的零件表面，大大降低插座的生产成本，使插座不仅可以承受气压差超过25个大气压的长时间实验，且防泄漏性能好。 【专利类型】发明申请 【申请人】高文彬 【申请人类型】个人 【申请人地址】276000 山东省临沂市兰山区金雀山路八零七二厂宿舍 【申请人地区】中国 【申请人城市】临沂市 【申请人区县】兰山区 【申请号】CN200810237868.8 【申请日】2008-12-06 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101745708A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101745708B 【授权公告日】2011-08-10 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】B23K1/00; B23K1/20; C03C27/00; B23K101/36 【发明人】高文彬 【主权项内容】插座的锡圈熔焊工艺，其特征在于包括如下步骤：1)烧结件：将可伐合金制成的插针与可伐板在650～670℃温度条件下，保温5分钟进行氧化处理得到鼠灰色可伐零件后，马上与玻璃绝缘子在950～990℃、保温25分钟的条件下烧结；2)、烧结件的表面涂覆：对烧结件进行镀金或用其他方法进行处理；3)、将烧结件装入已镀镍的插座外壳；4)、将插座放进500℃的箱式电阻炉，保温5分钟；5)、取出插座；6)、将事先绕好的锡圈放入烧结件与已镀镍插座外壳的配合位置：锡圈自熔成液体后向烧结件结合面的四周流入及与插座外壳的镀层浸润来密封烧结件与插座外壳的结合面。 【当前权利人】高文彬 【当前专利权人地址】山东省临沂市兰山区金雀山路八零七二厂宿舍 【家族引证次数】3.0
