【摘要】 本发明公开了一种甜樱桃矮化砧离体嫩梢容器成苗法，包括嫩梢采剪处理，离体嫩梢容器快速生根，新苗移栽等步骤。与常规组培育苗方法相比，可以使甜樱桃矮化砧离体嫩梢的生根率由50％上升到90％以上，新苗移栽后成活率由60％上升到98％以上，新苗定植后无缓苗期，生长快，抗病害能力强，适合在国内大面积推广。 【专利类型】发明授权 【申请人】山东省果树研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】271000 山东省泰安市龙潭路64号 【申请人地区】中国 【申请人城市】泰安市 【申请人区县】泰山区 【申请号】CN200810238282.3 【申请日】2008-12-12 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101433171B 【公开公告日】2010-11-03 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101433171B 【授权公告日】2010-11-03 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】A01G17/00; A01G31/00; A01G9/10 【发明人】刘庆忠; 张道辉; 魏海蓉; 艾呈祥; 李国田 【主权项内容】一种甜樱桃矮化砧离体嫩梢容器成苗法，其特征在于包括以下方法步骤：(1)嫩梢采剪处理每年的6-10月选枝条旺盛的甜樱桃矮化砧苗，在枝条顶端用消毒后的剪梢工具采剪15-20cm长嫩梢，将嫩梢底端5-10cm处树叶摘除并浸沾生根液，生根液配方为MS维生素+1000ppmIBA+1000ppm NAA，生根液PH值在5.4-5.8之间；(2)离体嫩梢容器快速生根将处理后的嫩梢底部垂直插入盛有生根基质和生根液的生根穴盘内，插入生根基质中的嫩梢长度为5cm，生根基质成份为细河沙、珍珠岩和蛭石，体积比为1∶1∶1，生根液配方为MS维生素+1000ppmIBA+1000ppm NAA，嫩梢快速生根的温度在25-35℃之间，相对湿度在80％-100％之间，遮阴透光率在40％-65％之间，生根培养时间40天；(3)新苗移栽将生根后的嫩梢即新苗连同生根基质从生根穴盘中移栽入营养钵，营养钵内盛有适宜新苗生长的基质，基质成份为草炭和腐熟后牛粪，体积比为3∶1，每隔20天追施一次三元素复合肥，适宜新苗生长的温度为20-35℃，相对湿度为60％-70％，当新苗粗度达到0.5cm时，嫁接上大樱桃品种芽，嫁接后15-25天后即可移栽入大田。 【当前权利人】山东省果树研究所 【当前专利权人地址】山东省泰安市龙潭路64号 【统一社会信用代码】12370000495542716E 【家族被引证次数】6
