【摘要】 本发明公开了一种功率开关器件保护电路，包括有功率管驱动芯片，功率管驱动芯片串接可控恒流源和光耦的输入端，功率管驱动芯片的驱动输出引脚HO/LO连接功率MOSFET管的驱动电路提供功率MOSFET管的栅源极电压，检测的功率MOSFET管导通压降接有分压电路，分压电路的分压输出接入到可控恒流源的电压基准端，光耦的输出端接检测电路。适用范围广。根据不同的功率MOSFET管导通电阻和保护电流，选择合适的D1、R1和R2即可满足要求。也适用IGBT的保护。 【专利类型】发明授权 【申请人】合肥同智机电控制技术股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】230088 安徽省合肥市高新区天智路19号 【申请人地区】中国 【申请人城市】合肥市 【申请人区县】蜀山区 【申请号】CN200810100552.4 【申请日】2008-05-06 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101345405B 【公开公告日】2010-12-15 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101345405B 【授权公告日】2010-12-15 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H02H3/08; H01L23/62 【发明人】张红; 彭松柏; 王文兵 【主权项内容】一种功率开关器件保护电路，其特征在于：包括有功率开关器件驱动芯片IRS2181，功率开关器件驱动芯片IRS2181的管脚1接收外部控制电路的控制信号，管脚6连接至功率开关器件的输出端(Vs)，管脚8作为电源通过电阻接到光耦输入端阳极，光耦的输入端阴极接到可控恒流源(D2)的阴极，可控恒流源的阳极接功率开关器件的输出端(Vs)，功率开关器件驱动芯片的驱动输出引脚，即管脚7(HO)或管脚4(LO)连接功率开关器件的控制端，提供驱动电压，同时驱动输出引脚(HO/LO)通过第一电阻(R3)和二极管(D1)接到功率开关器件的输入端(VD)，在所述第一电阻(R3)和二极管(D1)之间形成检测电压(V1)，所述二极管的阳极连接至所述第一电阻，阴极连接至所述功率开关器件的输入端，所述检测电压经第二电阻(R1)和第三电阻(R2)分压，分压之后的电压送到可控恒流源(D2)的参考电压端进行电压比较，当检测电压超过参考电压时，可控恒流源导通，使光耦导通，光耦的输出经由控制电路进行相应控制，使所述功率开关器件驱动芯片输出信号关断功率开关器件的输出。 【当前权利人】合肥同智机电控制技术有限公司 【当前专利权人地址】安徽省合肥市高新区永和路66号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91340100695739978G 【家族被引证次数】8
