【摘要】 一种荧光猝灭分析中去除猝灭剂吸收影响的校正方法，是通过单独荧光试剂受激发光激 发后所产生的荧光的实际测量谱a和荧光试剂与猝灭剂混合样品所产生的荧光的实际测量 谱b来获得曲线A′和曲线B′，以A′表征对荧光试剂与猝灭剂的混合样品，去除直接吸 收影响后荧光试剂实际可以发出的未被猝灭的荧光谱，以B′表征所述A′被猝灭剂猝灭以 后的荧光谱线。以本发明方法可以克服荧光猝灭分析中猝灭剂吸收作用所产生的影响，使得 那些原本因吸收谱存在交迭而不适合采用荧光猝灭法进行分析的物质现在可以利用荧光猝 灭法进行分析，扩大了荧光猝灭分析的应用范围。。 【专利类型】发明授权 【申请人】合肥工业大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】230009安徽省合肥市屯溪路193号 【申请人地区】中国 【申请人城市】合肥市 【申请人区县】包河区 【申请号】CN200810099357.4 【申请日】2008-04-30 【申请年份】2008 【公开公告号】CN100595574C 【公开公告日】2010-03-24 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN100595574C 【授权公告日】2010-03-24 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G01N21/75 【发明人】陈向东; 杨继平; 高峰; 吴本科; 袁自钧; 程萍; 王锐 【主权项内容】1、荧光猝灭分析中去除猝灭剂吸收影响的校正方法，其特征按如下步骤进行： a、用光谱曲线a校正获得曲线A′； 所述光谱曲线a为单独荧光试剂受激发光激发后所产生的荧光的实际测量谱，以函数I1(λ)表征光谱曲线a；以函数I′1(λ)表征对荧光试剂与猝灭剂的混合样品，去除直接吸收影响后荧光试剂实际可以发出的未被猝灭的荧光谱曲线A′； 则 式(1)中ΔE1＝ε1c1Δl为猝灭剂对应激发波长的元消光度； ΔE2＝ε2c2Δl为荧光试剂对应激发波长的元消光度； Δl为样品细分单元层的厚度； n为样品细分单元层的层数； ε1为猝灭剂对应激发波长的摩尔吸收系数； ε2为荧光试剂对应激发波长的摩尔吸收系数； c1为猝灭剂的摩尔浓度； c2为荧光试剂的摩尔浓度； 令：测量荧光谱时所用样品池的宽度和厚度均为L，将样品池中的样品假定为一系列与激发光垂直的等厚薄层，每一个薄层均为一细分单元层，则Δl、n、L三者间的关系为：n×Δl＝L； b、用光谱曲线b校正获得校正曲线B′； 所述光谱曲线b为荧光试剂与猝灭剂混合样品所产生的荧光的实际测量谱；用函数I2(λ)表征曲线b，用函数I′2(λ)表征所述A′被猝灭剂猝灭以后的荧光谱线曲线B′； 则 式(2)中ΔE1(λ)＝ε1(λ)c1Δl为猝灭剂与波长相关的元消光度函数； ε1(λ)为猝灭剂与波长相关的摩尔吸收系数函数； c1为猝灭剂的摩尔浓度； Δl为样品细分单元层的厚度； n为样品细分单元层的层数。 【当前权利人】合肥工业大学 【当前专利权人地址】安徽省合肥市屯溪路193号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000400016984P 【引证次数】1.0 【被引证次数】2 【他引次数】1.0 【被自引次数】2.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】2
