【摘要】 本发明Sm(Co，M)7型合金薄带磁体的制备方法属于含稀土金属和磁性过渡金属的硬磁材料的磁体技术领域，包括：把组成式表示为SmCo7-xMx(CNT)y的熔体，该式中M为Hf、Ga或Si，CNT为碳纳米管，限定组成范围的符号以原子百分比计满足：0.05≤x≤1.6，0.01≤y≤0.1，在以10～60m·s-1的圆周速度旋转的冷却钼辊轮或铜辊轮上进行熔体快淬，由此制得具有40.0Am2·kg-1～105.0Am2·kg-1的质量磁化强度、在4.8MA·m-1外磁场充磁后具有480.0kA·m-1～1840.0kA·m-1的内禀矫顽力、在7.2MA·m-1外磁场充磁后具有480.0kA·m-1～2000.0kA·m-1的内禀矫顽力的Sm(Co，M)7型合金薄带磁体，其厚度为20～120μm，平均晶粒尺寸是10nm～200nm。碳纳米管作为理想的钉扎相稳定了Sm(Co，M)7型合金薄带快淬态及热处理态的相结构，优化了晶粒尺寸微结构，使该合金成为具有高矫顽力的实用永磁体。 -官网 【专利类型】发明授权 【申请人】河北工业大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】300130 天津市红桥区丁字沽光荣道8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】天津市 【申请人区县】红桥区 【申请号】CN200810054197.1 【申请日】2008-08-21 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101430958B 【公开公告日】2010-08-18 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101430958B 【授权公告日】2010-08-18 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01F1/047; H01F1/06; H01F41/02; C22C1/03 【发明人】孙继兵; 崔春翔; 韩丹; 杨薇; 韩瑞平 【主权项内容】Sm(Co，M)7型合金薄带磁体的制备方法，其特征在于：包括：把组成式表示为SmCo7-xMx(CNT)y的熔体，该式中M为Hf、Ga或Si，CNT为碳纳米管，限定组成范围的符号以原子百分比计满足：0.05≤x≤1.6，0.01≤y≤0.1，在以10～60m·s-1的圆周速度旋转的冷却钼辊轮或铜辊轮上进行熔体快淬，由此制得具有40.0Am2·kg-1～105.0Am2·kg-1的质量磁化强度、在4.8MA·m-1外磁场充磁后具有480.0kA·m-1～1840.0kA·m-1的内禀矫顽力、在7.2MA·m-1外磁场充磁后具有480.0kA·m-1～2000.0kA·m-1的内禀矫顽力的Sm(Co，M)7型合金薄带磁体，其厚度为20～120μm，平均晶粒尺寸是10nm～200nm。 【当前权利人】河北工业大学 【当前专利权人地址】天津市红桥区丁字沽光荣道8号 【统一社会信用代码】121300004017050446 【引证次数】2.0 【被引证次数】2 【他引次数】2.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】10
