【摘要】 一种前置预放大器电路，包括晶体管NMOS3、晶体管NMOS4和晶体管NMOS5， 其特征在于前置预放大器电路的负载为晶体管NMOS1和晶体管NMOS2；本发明 的优越性在于：1.这种电路的负载特性受半导体工艺和温度变化的影响很小， 可以工作的输入共模电压范围宽，信号传送速度快，增益倍数也相对稳定；2. 电路结构简单，易于实现，可靠性高；3.适用于复杂电路的每个部位的信号传 送和放大。 【专利类型】发明申请 【申请人】天津南大强芯半导体芯片设计有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】300457天津市开发区宏达街23号泰达学院五区四楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】天津市 【申请人区县】津南区 【申请号】CN200810154719.5 【申请日】2008-12-30 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101667813A 【公开公告日】2010-03-10 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H03F3/45 【发明人】戴宇杰; 吕英杰; 张小兴; 孙俊岳 【主权项内容】1、一种前置预放大器电路，包括晶体管NMOS3、晶体管NMOS4和晶体管 NMOS5，其特征在于前置预放大器电路的负载为晶体管NMOS1和晶体管NMOS2； 其中，晶体管NMOS3和晶体管NMOS5作为放大器电路的差分输入端子；所说的 晶体管NMOS5的栅极连接偏置电压，通过偏置电压产生电路动作的直流电流， 晶体管NMOS5的源极则接地；所说的晶体管NMOS1的栅极和漏极及晶体管 NMOS2的栅极和漏极分别与电源相连；所说的晶体管NMOS1的漏极和晶体管 NMOS3的源极分别与放大器电路的反相输出端子相连；所说的晶体管NMOS2的 漏极和晶体管NMOS4的源极与放大器电路的正相输出端子相连；所说的晶体管 NMOS3的栅极与放大器电路的正相输入端子相连；所说的晶体管NMOS4的栅极 与放大器电路的反相输入端子相连；所说的晶体管NMOS3的源极与晶体管NMOS4 的源极及晶体管NMOS5的漏极相连；所说的晶体管NMOS1的衬底、晶体管NMOS2 的衬底、晶体管NMOS3的衬底、晶体管NMOS4的衬底及晶体管NMOS5的衬底分 别与地相连。 【当前权利人】天津南大强芯半导体芯片设计有限公司 【当前专利权人地址】天津市开发区宏达街23号泰达学院五区四楼 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91120116744009278T 【被引证次数】5 【被他引次数】5.0 【家族被引证次数】5
