【摘要】 本发明涉及采用一次成型的导模法晶体生长技术生长3″×9″片状氧化铝单晶材料的工艺及方法。确立使用Φ100-Φ120mm大尺寸钼质坩埚，设计和建立高效加热系统、高效保温系统、温场调节系统，确立晶体生长高温区横向温度场的温差范围在±3℃以内、在模具端面之上15mm范围之内纵向温度梯度5-6℃/mm的工艺条件；解决大尺寸氧化铝单晶生长过程中的均匀化料难、温度场控制难、晶体生长工艺复杂等难点问题，生长出高质量大尺寸3″×9″片状氧化铝单晶材料。 ： 【专利类型】发明申请 【申请人】天津市硅酸盐研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】300111 天津市南开区冶金路18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】天津市 【申请人区县】南开区 【申请号】CN200810153130.3 【申请日】2008-11-18 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101736396A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】C30B15/34; C30B15/24; C30B29/20; C30B29/64; C30B15/20; C30B29/00; C30B29/10 【发明人】滑芬; 赵岩; 秦承安; 张贵芹 【主权项内容】本发明涉及Ф100-Ф120mm大尺寸钼质坩埚；高质量锻压钼材加工特定构型的晶体生长模具。。 【当前权利人】天津市硅酸盐研究所 【当前专利权人地址】天津市南开区冶金路18号 【被引证次数】11 【被他引次数】11.0 【家族被引证次数】11
