【摘要】 一种调节多晶Fe3O4薄膜材料电阻率的方法，特别是一种通过退火控制多晶Fe3O4薄膜材料的电阻率升高或降低的方法。该方法解决了自旋注入过程中的电阻率不匹配问题，满足向各种具有不同电阻率的半导体材料中注入自旋的实际需要。该方法的优点是简单易行，容易有效地调节多晶Fe3O4薄膜材料的电阻率，并且所用方法实用性较好，易于工业化。 【专利类型】发明授权 【申请人】南开大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】300071 天津市卫津路94号南开大学信息学院 【申请人地区】中国 【申请人城市】天津市 【申请人区县】南开区 【申请号】CN200810151233.6 【申请日】2008-09-03 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101345287B 【公开公告日】2010-06-02 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101345287B 【授权公告日】2010-06-02 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L43/12 【发明人】刘晖; 程雅慧; 张晓; 李鲁艳; 王维华; 罗晓光 【主权项内容】一种调节多晶Fe3O4薄膜材料电阻率的方法，其特征在于使用退火的方法来调节多晶Fe3O4薄膜材料电阻率，其中包括在氧化性条件下退火来提高多晶Fe3O4薄膜材料电阻率，在非氧化性条件下退火来降低多晶Fe3O4薄膜材料电阻率的方法；所述的退火的方法具体步骤如下：1)提高电阻率：将一种电阻率大小为R1的多晶Fe3O4薄膜材料送入退火设备中退火，控制退火设备中的退火室中充满一定压强的氧化性气体，进行退火后，多晶Fe3O4薄膜材料的电阻率大小为R2；2)降低电阻率：将一种电阻率大小为R1的多晶Fe3O4薄膜材料送入退火设备中退火，控制退火设备中的退火室中充满一定压强的非氧化性气体或者真空条件下，进行退火后，多晶Fe3O4薄膜材料的电阻率大小为R3；其中4.5×103μΩcm≤R1≤1.0×1011μΩcm；R1＜R2；R3＜R1；所述的氧化性气体选自O2气，O3气，空气；气体压强为1.0×10-4Pa至1.0×106Pa；所述非氧化性气体选自H2气，CO气，N2气和惰性气体；气体压强为1.0×10-4Pa至1.0×106Pa；所述的退火温度为100℃至1000℃，退火时间为5分钟到1000小时。 【当前权利人】南开大学 【当前专利权人地址】天津市卫津路94号南开大学信息学院 【统一社会信用代码】121000004013593721 【引证次数】6.0 【自引次数】4.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】1
