【摘要】 本发明公开了一种高速沉积优质本征微晶硅薄膜的制备方法，利用超高频等离子 体增强化学气相沉积技术，其中，将高速沉积本征微晶硅薄膜的制备过程划分为至少 两个时间段，每个时间段对应一个输入功率，在所述高速沉积本征微晶硅薄膜的制备 过程中，所述输入功率以功率降低梯度呈递减的规则变化。本发明采用逐渐降低输入 功率的方法沉积本征微晶硅薄膜，达到控制本征微晶硅薄膜纵向微结构演变和提高微 结构致密性，从而提高高速沉积微晶硅太阳电池的光电转换效率。 【专利类型】发明授权 【申请人】南开大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】300071天津市南开区卫津路94号 【申请人地区】中国 【申请人城市】天津市 【申请人区县】南开区 【申请号】CN200810053846.6 【申请日】2008-07-15 【申请年份】2008 【公开公告号】CN100583464C 【公开公告日】2010-01-20 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN100583464C 【授权公告日】2010-01-20 【授权公告年份】2010.0 【发明人】耿新华; 韩晓艳; 侯国付; 张晓丹; 张德坤; 魏长春; 孙建; 赵颖; 薛俊明; 张建军 【主权项内容】1、一种高速沉积本征微晶硅薄膜的制备方法，用于硅基薄膜太阳电池，利用超 高频等离子体增强化学气相沉积技术，其特征在于：将高速沉积本征微晶硅薄膜的制 备过程划分为至少两个时间段，所述每个时间段控制在5～20分钟，所述每个时间段 对应一个输入功率，在所述高速沉积本征微晶硅薄膜的制备过程中，所述输入功率呈 等梯度递减的规则变化。 【当前权利人】南开大学 【当前专利权人地址】天津市津南区海河教育园同砚路38号 【统一社会信用代码】121000004013593721 【家族被引证次数】2
