【摘要】 一种高分子辅助硝酸盐沉积制备高温超导涂层导体缓冲层的方法，其作法是：a、无水溶液制备：按稀土或锆与铈的离子比x∶1-x 0.01≤x≤0.5称量稀土硝酸盐或硝酸锆与硝酸亚铈按，并溶解在N，N-二甲基甲酰胺中，形成无水溶液。b、胶体制备：在a步的无水溶液中加入聚丙烯酸或聚甲基丙烯酸。c、胶体涂敷与干燥：将b步制得的胶体涂覆在基片上并干燥。d、烧结成相：将干燥后的基片放入烧结炉中，将炉温以5-100℃/min的速度升至850℃-1150℃，保温0.25-2小时，随后将炉温缓慢降至室温。该法制作工艺简单，操作控制容易，成本低，不污染环境；制得的氧化铈单层缓冲层的厚度可达到150-200nm。 【专利类型】发明授权 【申请人】西南交通大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】610031 四川省成都市二环路北一段111号 【申请人地区】中国 【申请人城市】成都市 【申请人区县】金牛区 【申请号】CN200810044628.6 【申请日】2008-06-04 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101281805B 【公开公告日】2010-07-21 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101281805B 【授权公告日】2010-07-21 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01B12/00; H01B13/00; H01L39/24 【发明人】赵勇; 张红; 雷鸣; 李果; 蒲明华; 程翠华 【主权项内容】一种高分子辅助硝酸盐沉积制备高温超导涂层导体缓冲层的方法，其具体作法是：a、无水溶液制备：按稀土或锆与铈的离子比x∶1-x，0.01≤x≤0.5称量稀土硝酸盐或硝酸锆与硝酸亚铈，并溶解在有机溶剂N，N-二甲基甲酰胺中，形成无水溶液；其中的稀土为钇(Y)、镧(La)、镨(Pr)、钕(Nd)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)中的一种；b、胶体制备：在a步的无水溶液中加入聚丙烯酸或聚甲基丙烯酸形成胶体；c、胶体涂敷与干燥：将b步制得的胶体涂覆在基片上，并干燥；d、烧结成相：将干燥后的基片放入烧结炉中，将炉温以5-100℃/min的速度升至850℃-1150℃，保温0.25-2小时，随后将炉温以1-2℃/min的速率降至室温，即得。 【当前权利人】西南交通大学 【当前专利权人地址】四川省成都市二环路北一段111号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000450752090P 【家族被引证次数】12
