【摘要】 BCD半导体器件及其制造方法属于半导体功率器件技术领域。器件包括高压 nLIGBT、第一类高压nLDMOS，第二类高压nLDMOS，第三类高压nLDMOS和低压 NMOS、PMOS、NPN。半导体器件直接做在单晶衬底上。高压nLIGBT、nLDMOS和 低压NPN直接做在单晶p型衬底上，低压NMOS做在p型阱中，低压PMOS做在 n型阱中。制作过程不采用外延工艺。在单晶衬底上实现nLIGBT、nLDMOS、低压 NMOS、低压PMOS和低压NPN的单片集成。由于没有采用外延工艺，芯片具有较 低的制造成本。本发明的nLIGBT器件、nLDMOS器件具有输入阻抗高，输出阻抗 低等特点，其构成的高压功率集成电路可以用于消费电子、显示驱动等多种产品 中。 【专利类型】发明授权 【申请人】电子科技大学; 深圳市联德合微电子有限公司 【申请人类型】企业,学校 【申请人地址】610054四川省成都市建设北路二段4号 【申请人地区】中国 【申请人城市】成都市 【申请人区县】郫都区 【申请号】CN200810148118.3 【申请日】2008-12-30 【申请年份】2008 【公开公告号】CN100578790C 【公开公告日】2010-01-06 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN100578790C 【授权公告日】2010-01-06 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L27/06; H01L21/8249 【发明人】乔明; 蒋苓利; 段双亮; 陈波; 赵磊; 张波 【主权项内容】1、一种BCD半导体器件，其特征在于：器件包括高压nLIGBT(1)、第一类 高压nLDMOS(2)，第二类高压nLDMOS(3)，第三类高压nLDMOS(4)和低压NMOS (5)、低压PMOS(6)和低压NPN(7)，半导体器件直接做在单晶衬底上，nLIGBT (1)、第一类高压nLDMOS(2)、第二类高压nLDMOS(3)、第三类高压nLDMOS (4)和低压NPN(7)直接做在单晶p型衬底(10)上，低压NMOS(5)做在p 型阱(37)中，低压PMOS(6)做在n型阱(25)中； 所述第一类高压nLDMOS(2)直接做在p型衬底(10)中，其p型降场层(34) 位于场氧化层(51)下、被第一n型漂移区阱(22)包围；第一n+漏区(83) 处于第一漏极金属(904)下、被第一n型漂移区阱(22)包围；第一n+源区(82) 和第一p+阱接触区(73)并排处于第一源极金属(903)下、被第一p型体区(33) 包围；第一多晶硅栅(63)部分处于第一栅氧化层(42)上、部分处于场氧化层 (51)上；多晶硅场板(64)处于场氧化层(51)上、与第一漏极金属(904) 相连； 所述第二类高压nLDMOS(3)直接做在p型衬底(10)中，其第二n+漏区 (85)处于第二漏极金属(906)下、被第二n型漂移区阱(23)包围；第二n+ 源区(84)和第二p+阱接触区(74)并排处于第二源极金属(905)下、被第二 p型体区(35)包围；第二多晶硅栅(65)部分处于第二栅氧化层(43)上、部 分处于场氧化层(51)上； 所述第三类高压nLDMOS(4)直接做在p型衬底(10)中，其第三n+漏区(87) 处于第三漏极金属(908)下、被第三n型漂移区阱(24)包围；第三n+源区(86) 和第三p+阱接触区(75)并排处于第三源极金属(907)下、被第三p型体区(36) 包围；第三多晶硅栅(66)处于第三栅氧化层(44)上。 【当前权利人】电子科技大学; 深圳市联德合微电子有限公司 【当前专利权人地址】四川省成都市建设北路二段4号; 广东省深圳市南山区艺园路马家龙田厦产业园2-008号 【专利权人类型】公立; 有限责任公司(自然人独资) 【统一社会信用代码】121000004507193117; 9144030073627483XU 【引证次数】4.0 【被引证次数】7 【他引次数】4.0 【被自引次数】7.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】34
