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针对NAND Flash冗余码的存取方法专利

发布时间:2026-06-22

【摘要】 本发明公开了针对NAND Flash冗余码的存取方法,其特征在于:将NANDFlash中一个块的n个页面作为备用区的扩展空间,其中n≥1;写入数据时,数据存储在一个扇区的数据区中,当需要纠错能力大于16字节的空间来存放冗余码时,冗余码的前16字节放入该扇区自带的16字节备用区中,其余的字节存储在该扇区所对应的备用区的扩展空间中;开辟了新的冗余码存储空间,在次空间内冗余码按块顺序排放,在读取某块数据前,先将冗余码加载至系统内存,供解码单元使用。 【专利类型】发明授权 【申请人】四川和芯微电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】610041 四川省成都市高新区孵化园7号楼409室 【申请人地区】中国 【申请人城市】成都市 【申请人区县】武侯区 【申请号】CN200810046403.4 【申请日】2008-10-29 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101425342B 【公开公告日】2010-12-08 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101425342B 【授权公告日】2010-12-08 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G11C29/24 【发明人】周防; 邹铮贤 【主权项内容】针对NAND Flash冗余码的存取方法,其特征在于:将NAND Flash中一个块的n个页面作为备用区的扩展空间,其中n≥1;写入数据时,数据存储在一个扇区的数据区中,当需要纠错能力大于16字节的空间来存放冗余码时,冗余码的前16字节放入该扇区自带的16字节备用区中,其余的字节存储在该扇区所对应的备用区的扩展空间中。 【当前权利人】上海斐讯数据通信技术有限公司 【当前专利权人地址】上海市松江区思贤路3666号 【专利权人类型】其他股份有限公司(非上市) 【统一社会信用代码】915100007650627133 【引证次数】4.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】14

  • 【摘要】省略其它视图。【专利类型】外观设计【申请人】成都金鹰家私制造有限公司【申请人类型】企业【申请人地址】610203四川省成都市双流县彭镇交通路二段3-15号【申请人地区】中国【申请人城市】成都市【申请人区县】双流区【申请号】CN200
  • 【摘要】省略其它视图。【专利类型】外观设计【申请人】成都金鹰家私制造有限公司【申请人类型】企业【申请人地址】610203四川省成都市双流县彭镇交通路二段3-15号【申请人地区】中国【申请人城市】成都市【申请人区县】双流区【申请号】CN200
  • 【摘要】省略其它视图。【专利类型】外观设计【申请人】张友全【申请人类型】个人【申请人地址】611231四川省崇州市羊马镇五组六号【申请人地区】中国【申请人城市】成都市【申请人区县】崇州市【申请号】CN200830343199.3【申请日】2
  • 【摘要】一种有机薄膜晶体管,包括基板、栅电极、绝缘层、有机半导体层、漏电极和源电极,结构组成为顶部接触式、底部接触式和顶部栅极式中的一种,其特征在于:还包括过渡层,所述过渡层由空穴型有机半导体材料中的一种或多种构成。目的是要优化有机薄膜晶体
  • 【摘要】1.产品顶部为透明结构。2.省略其他视图。【专利类型】外观设计【申请人】成都浪度原木缘家具有限公司【申请人类型】企业【申请人地址】610200 四川省成都市新都区新都镇寂光村1社【申请人地区】中国【申请人城市】成都市【申请人区县】新
  • 【摘要】省略其他视图。【专利类型】外观设计【申请人】段晋蓉【申请人类型】个人【申请人地址】610000四川省成都市高新区神仙树南路8号45栋1单元6号【申请人地区】中国【申请人城市】成都市【申请人区县】武侯区【申请号】CN200830342