【摘要】 一种结晶区温度梯度调节器，由保温隔热材料制作的座板和保温隔热材料制作的动板组成，动板放置在座板所设置的凹槽中，其与凹槽为动配合。一种坩埚下降法单晶生长装置，包括上端封闭、下端开口的整体式炉体，安装在炉体上的加热器，安装安瓿的坩埚套，放置坩埚套的坩埚托，与坩埚托连接的升降旋转驱动机构，安装在炉膛结晶区B的上述结构结晶区温度梯度调节器；结晶区温度梯度调节器的座板固定在炉体上，旋转放置在座板凹槽中的动板，便可调节座板凹槽环面上调温孔I和动板环面上调温孔II的重合面积，从而调节从高温A区向低温C区辐射和传导的热流量，使结晶区B温度梯度可在大范围内调整，易于获得窄温区、大温梯的温场分布。。 （，） 【专利类型】发明授权 【申请人】四川大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】610065 四川省成都市一环路南一段24号 【申请人地区】中国 【申请人城市】成都市 【申请人区县】武侯区 【申请号】CN200810044561.6 【申请日】2008-04-10 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101311332B 【公开公告日】2010-06-02 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101311332B 【授权公告日】2010-06-02 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C30B11/00; F27B14/04; F27B14/06; F27B14/20 【发明人】朱世富; 赵北君; 何知宇; 陈宝军; 唐世红; 王立苗 【主权项内容】一种结晶区温度梯度调节器，其特征在于由保温隔热砖制作的座板(1)和保温隔热砖制作的动板(5)组成，座板(1)上设置有一底部为平面的凹槽(2)，凹槽的中心部位开设有大于坩埚套外径的通孔I(3)，凹槽的环面上开设有至少4个调温孔I(4)，动板(5)的形状和径向尺寸与座板上设置的凹槽(2)相匹配，动板(5)中心部位开设有与通孔I尺寸相同的通孔II(6)，动板(5)环面上开设有调温孔II(7)，调温孔II与所述凹槽环面上开设的调温孔I(4)形状、尺寸、数量、间距相同，动板(5)放置在座板(1)所设置的凹槽(2)中，其与凹槽为动配合，座板(1)底面至动板(5)顶面的高度h2＝25～60mm。 【当前权利人】四川大学 【当前专利权人地址】四川省成都市一环路南一段24号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】121000004000091949 【引证次数】7.0 【自引次数】2.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】7.0 【家族被引证次数】15
