【摘要】 一种制作基于金属覆盖层的负折射人工材料的方法，包括：选择石英基片，并将其表面抛光；然后在其表面蒸镀一层SiO2膜；在SiO2膜表面蒸镀一层铬膜，并在其上均匀涂覆一层光刻胶；采用电子束光刻的方法，在光刻胶上制备出介质光栅结构；采用湿法腐蚀技术，将光刻胶作为掩模，腐蚀掉裸露在外的铬膜；采用干法腐蚀技术，将铬膜作为掩模，在高纯SiO2膜上刻蚀出介质光栅结构，去除铬膜；采用真空蒸镀技术，在SiO2光栅结构上蒸镀厚度为h的金属层，基于金属覆盖层的负折射人工材料制作完成。本发明具有制作简便，单层损耗小，单层正入射的特性，在磁共振、近场光学、隐身材料等领域具有很大的应用前景。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院光电技术研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】610209 四川省成都市双流350信箱 【申请人地区】中国 【申请人城市】成都市 【申请人区县】双流区 【申请号】CN200810227029.8 【申请日】2008-11-19 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101424758B 【公开公告日】2010-10-13 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101424758B 【授权公告日】2010-10-13 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G02B5/18; G02B1/10; G03F7/00; C23C14/24; C23C14/18 【发明人】罗先刚; 胡承刚; 赵泽宇; 陈旭南 【主权项内容】一种制作基于金属覆盖层的负折射人工材料的方法，其特征包括以下步骤：(1)选择石英基片，并将其表面抛光；然后在其表面蒸镀一层SiO2膜；(2)在SiO2膜表面蒸镀一层铬膜，然后在铬膜上均匀涂覆一层光刻胶；(3)采用电子束光刻的方法，在光刻胶上制备出介质光栅结构；(4)采用湿法腐蚀技术，将光刻胶作为掩模，腐蚀掉裸露在外的铬膜；(5)采用干法腐蚀技术，将铬膜作为掩模，在SiO2膜上刻蚀出介质光栅结构，去除铬膜；(6)采用真空蒸镀技术，在SiO2光栅结构上蒸镀厚度为h的金属层，一种基于金属覆盖层的负折射人工材料制作完成；其中所述SiO2膜的厚度为70纳米到80纳米；所述介质光栅结构的周期为255纳米到265纳米，占空比为1.35∶1.2～1.45∶1.2；所述金属层的蒸镀厚度h为28纳米至32纳米。 【当前权利人】中国科学院光电技术研究所 【当前专利权人地址】四川省成都市双流350信箱 【统一社会信用代码】12100000450811820A 【家族被引证次数】12
