【摘要】 本发明是一种垂直腔面发射激光器(VCSEL)列阵的串接结构，涉及光电子及半导体技术领域。该结构包括热沉、热沉表面的金属膜、垂直腔面发射激光器列阵芯片、金属条、流入电极、流出电极及金丝引线、发光单元。该发明实现了VCSEL列阵的串接，结构紧凑，所有的引线都分布在外侧，VCSEL列阵芯片排列紧密，有效的发光面积大，发光密度大。在不提高驱动电流的前提下进一步提高VCSEL列阵的输出功率，拓展了VCSEL列阵的应用范围。使用高导热材料做为热沉散热，又使用热传导效率较高的焊料，加之VCSEL列阵芯片的工作方式是脉冲工作，因此，基本解决了散热问题。。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】130033 吉林省长春市东南湖大路16号 【申请人地区】中国 【申请人城市】长春市 【申请人区县】二道区 【申请号】CN200810051624.0 【申请日】2008-12-22 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101447647B 【公开公告日】2010-08-11 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101447647B 【授权公告日】2010-08-11 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01S5/42; H01S5/024 【发明人】史晶晶; 王立军; 秦莉; 刘云; 宁永强 【主权项内容】 一种新型的垂直腔面发射激光器列阵串接结构，其特征在于：该结构包括热沉(1)、热沉表面的金属膜(2)、垂直腔面发射激光器列阵芯片(3)、金属条(4)、流入电极(51)、流出电极(52)及金丝引线(6)、每个垂直腔面发射激光器列阵芯片(3)中包括M×M个发光单元(7)；各部分的位置及连接关系：在热沉(1)上的指定区域蒸镀金属膜(2)，垂直腔面发射激光器列阵芯片(3)焊接在热沉(1)上蒸镀金属膜(2)的区域内，再将金属条(4)焊接在热沉(1)上蒸镀金属膜(2)的区域，金丝引线(6)将垂直腔面发射激光器列阵芯片(3)和金属条(4)连接，电流通过流入电极(51)流入，通过金丝引线流入各个垂直腔面发射激光器列阵芯片(3)，最后从流出电极(52)流出，垂直腔面发射激光器列阵芯片(3)在金属膜区域内排列方式是以N×N，N×N为垂直腔面发射激光器列阵芯片(3)的个数，本发明中N为2-10的正整数。 【当前权利人】吉光半导体科技有限公司 【当前专利权人地址】吉林省长春市经济开发区营口路19号孵化基地2号楼一层 【统一社会信用代码】1210000041275487XF 【家族被引证次数】15
