【摘要】 一种晶边蚀刻设备及其相关的晶片平坦化方法。本发明的晶边蚀刻设备 包含有晶片防护掩模，且晶片防护掩模覆盖晶片的部分表面。晶片上定义有 中央区域与环绕该中央区域的晶边区域。前述晶片防护掩模包含有中央遮蔽 区以及至少一晶边遮蔽区。中央遮蔽区全面覆盖晶片的中央区域，而晶边遮 蔽区从中央遮蔽区的外缘向外延伸而出，覆盖晶片的部分晶边区域，并且暴 露出晶边区域的其余部分。 【专利类型】发明申请 【申请人】联华电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810131951.7 【申请日】2008-07-02 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101620985A 【公开公告日】2010-01-06 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101620985B 【授权公告日】2011-05-11 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L21/00; H01L21/311; H01L21/3105; H01L21/768 【发明人】游岱恒; 李志岳 【主权项内容】1.一种晶边蚀刻设备，包含有： 晶片防护掩模，覆盖晶片的部分表面，其中该晶片上定义有中央区域与 环绕该中央区域的晶边区域，而该晶片防护掩模包含有： 中央遮蔽区，全面覆盖该晶片的该中央区域；以及 至少一晶边遮蔽区，从该中央遮蔽区的外缘向外延伸而出，覆盖该 晶片的部分该晶边区域，并且暴露出该晶边区域的其余部分。 【当前权利人】联华电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【被引证次数】5 【被他引次数】5.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】5
