【摘要】 本发明涉及制备MgxZn1-xO半导体合金体材料的方法，特别是一种制备单一立方相结构的MgxZn1-xO半导体合金体材料的方法。将按摩尔比为MgO：0.32～0.61，ZnO：0.68～0.39的MgO和ZnO粉体混合料在压力为4～6GPa、温度为1600～2000℃的条件下热压烧结制得MgxZn1-xO半导体合金体材料，该材料具有单一的立方相结构，禁带宽度在3.5～5.5eV范围内。本方法提供了适于规模化生产MgxZn1-xO(0.32＜X＜0.61)半导体合金体材料的的技术手段。为光电器件制造技术领域提供了特别适用的优质新材料，进而为紫外探测器器件的制备及实现奠定了物质基础。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】130033 吉林省长春市东南湖大路16号 【申请人地区】中国 【申请人城市】长春市 【申请人区县】二道区 【申请号】CN200810050790.9 【申请日】2008-06-04 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101285147B 【公开公告日】2010-11-10 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101285147B 【授权公告日】2010-11-10 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C22C29/12; C22C1/04; B22F3/14 【发明人】秦杰明; 张吉英; 姚斌; 申德振; 赵东旭; 张振中; 李炳辉 【主权项内容】一种制备单一立方相结构的MgxZn1-xO半导体合金体材料的方法，以粉体MgO和粉体ZnO作原料，其特征在于包括以下步骤：a.将纯度为4～5N、粒径小于1um的粉体MgO和ZnO按摩尔比为MgO＝0.32～0.61、ZnO＝0.68～0.39的配比量均匀混合；b.将上述MgO和ZnO粉体混合料预压成型后装入叶腊石模块腔体内，在六面顶压机压力室中加压、加热，至压力为4～6GPa、温度为1600～2000℃条件下保温保压20分钟，卸压冷却脱模后即制得所述的MgxZn1-xO半导体合金体材料。 【当前权利人】中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 【当前专利权人地址】吉林省长春市东南湖大路16号 【统一社会信用代码】1210000041275487XF 【家族被引证次数】6
