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记忆卡与其非挥发性记忆体控制器专利

发布时间:2026-06-20

【摘要】 本发明提供一种记忆卡与其非挥发性记忆体控制器,其中非挥发性记忆体控制器包括固件下载端口组、记忆体界面单元、处理单元与主机界面单元。记忆体界面单元含有至少一三态缓冲组件,其中记忆体界面单元得通过所述三态缓冲组件耦接至非挥发性记忆体与固件下载端口组,而三态缓冲组件则根据一模式信号来决定运行在高阻抗模式或正常模式。处理单元通过记忆体界面单元存取所述非挥发性记忆体。当所述三态缓冲组件根据所述模式信号运行在所述高阻抗模式时,所述固件更新治具经由所述固件下载端口组将新固件写入所述非挥发性记忆体。 【专利类型】发明申请 【申请人】亮发科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾台北市内湖区堤顶大道二段257号6楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810170637.X 【申请日】2008-10-24 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101727959A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】G11C7/10; G06F3/06 【发明人】邱景泓 【主权项内容】一种非挥发性记忆体控制器,其特征在于,它包括:一固件下载端口组,其中所述固件下载端口组耦接一固件更新治具;一记忆体界面单元,其含有至少一三态缓冲组件,其中所述记忆体界面单元通过所述三态缓冲组件得耦接至一非挥发性记忆体与所述固件下载端口组,其中所述三态缓冲组件根据一模式信号来决定运行在一高阻抗模式或一正常模式;一处理单元,耦接至所述记忆体界面单元,其中所述处理单元通过所述记忆体界面单元存取所述非挥发性记忆体;以及一主机界面单元,耦接至所述处理单元,其中所述处理单元通过所述主机界面单元提供一处理界面,使一主机存取所述非挥发性记忆体;其中当所述三态缓冲组件根据所述模式信号运行在所述高阻抗模式时,所述固件更新治具经由所述固件下载端口组将新固件写入所述非挥发性记忆体。 【当前权利人】亮发科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾台北市内湖区堤顶大道二段257号6楼 【被引证次数】1 【被他引次数】1.0 【家族被引证次数】1

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  • 【摘要】本发明提供一膜电极组所使用的结合剂,其中该结合剂包含:一溶剂系统;一高支化聚合物,其中该高支化聚合物基材其具有一支化度大于0.5;以及一具有传导离子能力的有机高分子,其中该高支化聚合物及该具有传导离子能力的有机高分子分散于该溶剂系统
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