【摘要】 一半导体存储器元件，包含有一第一晶体管、一第二晶体管、一源极、一程序化用栅极电极、以及一偏压电路。该第一晶体管具有一浮动栅极。该第二晶体管具有一浮动栅极。该源极为该第一与第二晶体管所共用。该程序化用栅极电极为该第一与第二晶体管所共用，该程序化用栅极电极电性绝缘于该源极。该偏压电路设置用来选择性地施加一偏压于该程序化用栅极电极。本发明可以提高元件的集成度。 【专利类型】发明申请 【申请人】台湾积体电路制造股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200910174929.5 【申请日】2008-04-18 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101714408A 【公开公告日】2010-05-26 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】G11C16/04; H01L27/115; H01L29/423 【发明人】王士纬; 徐德训; 宋弘政 【主权项内容】一种半导体存储器元件，包含有：一第一晶体管，具有一浮动栅极；一第二晶体管，具有一浮动栅极；一源极，为该第一与第二晶体管所共用；一程序化用栅电极，为该第一与第二晶体管所共用，该程序化用栅电极电性绝缘于该源极；以及一偏压电路，设置用来选择性地施加一偏压于该程序化用栅电极。 【当前权利人】台湾积体电路制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【引证次数】2.0 【自引次数】2.0 【家族引证次数】8.0 【家族被引证次数】6
