【摘要】 本发明涉及一种集成电路结构至少包含：一基材衬底；一穿透硅通道，延伸进入所述衬底中；一金属线，位于所述穿透硅通道上，其中所述金属线与所述穿透硅通道至少包含相同的材料且形成一连续区域；以及一覆盖层，位于所述金属线上，其中所述覆盖层和所述金属线具有共同的界限。 【专利类型】发明授权 【申请人】台湾积体电路制造股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810085722.6 【申请日】2008-03-13 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101325166B 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101325166B 【授权公告日】2010-06-09 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/60; H01L21/768; H01L23/482; H01L23/522 【发明人】黄宏麟; 苏竟典; 曾立鑫; 郑嘉仁; 游秀美 【主权项内容】一种集成电路结构，至少包含：一基材衬底；一穿透硅通道，延伸进入所述衬底中；一金属线，位于所述穿透硅通道上，其中所述金属线与所述穿透硅通道至少包含相同的材料且形成一连续区域；以及一覆盖层，位于所述金属线上，其中所述覆盖层和所述金属线具有共同的界限。 【当前权利人】台湾积体电路制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 【引证次数】2.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】28
