【摘要】 本发明公开了一种电阻式随机存取存储器结构及其制作方法。在该制作方法中，首先，形成下电极，接着，在下电极上，形成电阻层，然后，在电阻层上，形成上电极，其中上电极选自下列群组：氧化铟锡以及氧化铟锌，最后，以紫外线照射上电极。 【专利类型】发明申请 【申请人】南亚科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾桃园县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810149931.2 【申请日】2008-10-17 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101728480A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101728480B 【授权公告日】2013-05-08 【授权公告年份】2013.0 【IPC分类号】H01L45/00; G11C16/02; G11C11/56 【发明人】谢君毅; 吴昌荣; 施能泰; 刘国辰 【主权项内容】一种电阻式随机存取存储器结构，包含：下电极；电阻层，位于该下电极上；以及上电极，位于该电阻层上，其中该上电极选自下列群组：氧化铟锡、氧化铟锌以及钯。 【当前权利人】南亚科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾桃园县 【被引证次数】3 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】3
