【摘要】 一种应用于一微机电系统装置中的感测薄膜，包括一本体、一应力分散结构以及一连接部。应力分散结构围绕本体，用以分散一薄膜残留应力(residual stress)。应力分散结构具有多个第一贯穿孔(perforation)及多个第二贯穿孔，第一贯穿孔位于本体与第二贯穿孔之间。连接部连接应力分散结构及微机电系统装置的一基板。。 【专利类型】发明申请 【申请人】财团法人工业技术研究院 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】中国台湾新竹县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810178203.4 【申请日】2008-11-14 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101734606A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101734606B 【授权公告日】2013-01-16 【授权公告年份】2013.0 【IPC分类号】B81B7/00; G01P15/097; G01P15/08 【发明人】吴嘉昱; 陈建铭 【主权项内容】一种感测薄膜，应用于一微机电系统装置中，该感测薄膜包括：一本体；一应力分散结构，围绕该本体，用以分散一薄膜残留应力，该应力分散结构具有多个第一贯穿孔及多个第二贯穿孔，所述第一贯穿孔位于该本体与所述第二贯穿孔之间；以及一连接部，连接该应力分散结构及该微机电系统装置的一基板。 【当前权利人】财团法人工业技术研究院 【当前专利权人地址】中国台湾新竹县 【被引证次数】4 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】4
