【摘要】 本发明提供一种发光二极管及其制造方法。此发光二极管包含基板、第 一半导体层、发光层及第二半导体层，其中基板包含第一区及第二区。此发 光二极管还包含多个介层孔、第一金属层、第二金属层、及夹设于第二半导 体层与第一金属层之间的图案化钝化层。其中，多个介层孔位于第一区之上， 且贯穿第二半导体层及发光层而暴露部分的第一半导体层。第一金属层于第 一区之上，且透过该多个介层孔而与第一半导体层电性接触。第二金属层于 第二区之上，与第二半导体层电性接触且与第一金属层电性绝缘。图案化钝 化层用以使第一金属层分别与第二半导体层与发光层电性隔离。 【专利类型】发明申请 【申请人】相丰科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾台北县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810133722.9 【申请日】2008-07-25 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101635323A 【公开公告日】2010-01-27 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101635323B 【授权公告日】2012-01-11 【授权公告年份】2012.0 【发明人】黄禄珍 【主权项内容】1.一种发光二极管，包含： 基板，包含第一区及第二区； 于该基板上的第一半导体层； 于该第一半导体层上的发光层； 于该发光层上的第二半导体层； 于该第一区之上的多个介层孔，该多个介层孔贯穿该第二半导体层及该 发光层而暴露部分的该第一半导体层； 于该第一区之上的第一金属层，透过该多个介层孔而与该第一半导体层 电性接触；以及 于该第二区之上的第二金属层，与该第二半导体层电性接触且与该第一 金属层电性绝缘；以及 图案化钝化层，夹设于该第二半导体层与该第一金属层之间，用以使该 第一金属层分别与该第二半导体层及该发光层电性隔离。 【当前权利人】相丰科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾台北县 【被引证次数】2 【家族被引证次数】2
