【摘要】 本发明公开一种薄膜晶体管的制作方法，包括下列步骤：首先，提供一基板。接着，于基板上形成一牺牲层。然后，于基板上形成一多晶硅图案层，以围绕牺牲层。之后，形成一栅极绝缘层，至少覆盖多晶硅图案层。此外，于多晶硅图案层上方的栅极绝缘层上形成一栅极图案。于多晶硅图案层中形成一源极区、一漏极区与一有源区，且有源区位于源极区与漏极区之间。另外，形成一保护层，以覆盖栅极图案与部分栅极绝缘层。之后，于保护层上形成一源极导电层与一漏极导电层。源极导电层、漏极导电层会分别与多晶硅图案层的源极区、该漏极区电性连接。 【专利类型】发明授权 【申请人】中华映管股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾台北市中山北路三段二十二号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810085809.3 【申请日】2008-03-14 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101533775B 【公开公告日】2010-12-01 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101533775B 【授权公告日】2010-12-01 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/336; H01L29/786 【发明人】张家文; 黄俊嘉; 张子恒; 雷添福; 陈司芬 【主权项内容】一种薄膜晶体管的制作方法，包括：提供一基板；于该基板上形成一牺牲层；于该基板上形成一多晶硅图案层，以围绕该牺牲层；形成一栅极绝缘层，至少覆盖该多晶硅图案层；于该多晶硅图案层上方的该栅极绝缘层上形成一栅极图案；于该多晶硅图案层形成一源极区、一漏极区与一有源区，且该有源区位于该源极区与该漏极区之间；形成一保护层，以覆盖部分该栅极绝缘层与该栅极图案；以及于该保护层上形成一源极导电层与一漏极导电层，该源极导电层、该漏极导电层会分别与该多晶硅图案层的该源极区、该漏极区电性连接，其中该保护层具有暴露出该栅极图案的一第一接触窗开口，该保护层与该栅极绝缘层中具有分别暴露出该源极区与该漏极区的一第二接触窗开口与一第三接触窗开口，该源极导电层借由该第二接触窗开口而与该源极区电性连接，而该漏极导电层借由该第三接触窗开口而与该漏极区电性连接。 【当前权利人】中华映管股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾台北市中山北路三段二十二号 【引证次数】4.0 【自引次数】2.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】1
