【摘要】 一种像素结构及其制造方法，所述的像素结构包括一扫描线、一数据线、一主动组件、一第一保护层、一第二保护层及一像素电极。扫描线具有一第一扫描金属层及一第二扫描金属层。第一数据金属线段与扫描线设置于与交错处距一第一距离之处，第二数据金属层设置于交错处及第一数据金属线段上。主动组件电性耦接数据线及扫描线，包括一栅极、一绝缘层、一沟道层、一源极与一漏极。绝缘层部分位于栅极上，沟道层位于栅极上方的绝缘层上。源极与漏极位于沟道层上，源极耦接数据线。第一保护层及第二保护层覆盖主动组件并形成一第一接触孔以露出部分漏极，第二保护层是覆盖于漏极的部分边缘。像素电极越过第二保护层并藉由第一接触孔与漏极耦接。 【专利类型】发明授权 【申请人】友达光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810080413.X 【申请日】2008-02-18 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101226932B 【公开公告日】2010-10-27 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101226932B 【授权公告日】2010-10-27 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L27/02; H01L27/12; H01L23/522; H01L21/82; H01L21/84; H01L21/768; G02F1/1362 【发明人】方国龙; 林祥麟; 廖金阅 【主权项内容】一种像素结构，其特征在于，该像素结构包括：一扫描线，具有一第一扫描金属层及一第二扫描金属层，其中，该第一扫描金属层及第二扫描金属层分别在不同道掩模工艺中形成；一数据线，与该扫描线交错排列并形成一交错处，其中该数据线包括一第一数据金属线段、一第二数据金属层以及一跨越该扫描线的阻挡层，该第一数据金属线段设置于与该交错处距一第一距离之处，该第二数据金属层设置于该交错处及该第一数据金属线段上，该第二数据金属层设置于该阻挡层上，其中，该第一数据金属线段、第二数据金属层以及阻挡层分别在不同道掩模工艺中形成；一主动组件，包括：一栅极，其中该栅极与该扫描线电性连接；一绝缘层，部分位于该栅极上；一沟道层，位于该栅极上方的该绝缘层上；及一源极与一漏极，位于该沟道层上，该源极耦接该数据线；一第一保护层及一第二保护层，覆盖该主动组件并形成一第一接触孔以露出部分该漏极，该第二保护层是覆盖于该漏极的部分边缘；以及一像素电极，越过该第二保护层并藉由该第一接触孔与该漏极耦接。 【当前权利人】友达光电股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【引证次数】5.0 【自引次数】1.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】7
