【摘要】 本发明是一种静电放电防护半导体装置，至少包括一高电压寄生硅控整流器及一二极管。高电压硅控整流器包括阳极与阴极，且高电压硅控整流器的阴极是接地。二极管是以串联方式耦接至高电压硅控整流器且亦包括阳极与阴极。二极管的阳极耦接至高电压硅控整流器的阳极，且二极管的阴极耦接至施加有正电压的一端子。二极管具有一第二导电态区域，且该区域具有数个彼此相隔的长条或小区块导电态区域。所述小区块可为任何形状并规则或随机地排列。 【专利类型】发明授权 【申请人】崇贸科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾231台北县新店市宝兴路45巷8弄1号3楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810189716.5 【申请日】2008-12-26 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101459173B 【公开公告日】2010-07-07 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101459173B 【授权公告日】2010-07-07 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L27/02; H01L27/06; H01L23/60 【发明人】蒋秋志; 邰翰忠 【主权项内容】一种静电放电防护半导体装置，其特征在于，包括：一寄生硅控整流器，至少包括：多个第一及第二导电态掺杂区域，交错且连续地形成于第一导电态的一第一阱中，该寄生硅控整流器的第一阱中的第二导电态掺杂区域彼此耦接；及一第二导电态掺杂区域，是接地并配置于两个第一导电态掺杂区域之间，三个掺杂区域是与该第一阱相隔并形成于第二导电态的一基板中，与该第一阱相隔的寄生硅控整流器的第一导电态掺杂区域彼此耦接；以及一二极管，形成于第二导电态的该基板中并以串联方式耦接至该寄生硅控整流器，该二极管包括：一第二导电态区域，形成于第一导电态的一第二阱中且耦接至该第一阱中的所述第一导电态掺杂区域之一；及一第一导电态掺杂区域，形成于第一导电态的该第二阱中且与该第二导电态区域相隔，其中该二极管的第一导电态掺杂区连接至施加有一正电压的一端子。 【当前权利人】崇贸科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾231台北县新店市宝兴路45巷8弄1号3楼 【引证次数】2.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】13.0 【家族被引证次数】8
