【摘要】 一种单一晶粒尺寸半导体元件绝缘被覆结构及其工艺，包括：单一晶粒 尺寸半导体元件，该单一晶粒尺寸半导体元件具有前侧面、后侧面、左侧面、 右侧面、底面、及上表面，该单一晶粒尺寸半导体元件的该上表面具有两个 金属垫；以及绝缘被覆层，该绝缘被覆层覆盖于该单一晶粒尺寸半导体元件 的该前侧面、该后侧面、该左侧面、该右侧面、及该底面。本发明还提供一种 单一晶粒尺寸半导体元件绝缘被覆工艺。本发明可以得到相同的可靠度， 但是尺寸较小的单一晶粒尺寸半导体元件，保护该元件不受环境影响，并 节省了费用，降低工艺的难度。 【专利类型】发明申请 【申请人】佳邦科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810144966.7 【申请日】2008-08-18 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101656240A 【公开公告日】2010-02-24 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101656240B 【授权公告日】2011-11-30 【授权公告年份】2011.0 【发明人】吴亮洁; 王晴 【主权项内容】1.一种单一晶粒尺寸半导体元件绝缘被覆结构，其特征在于，包括： 单一晶粒尺寸半导体元件，该单一晶粒尺寸半导体元件具有前侧面、 后侧面、左侧面、右侧面、底面、及上表面，该单一晶粒尺寸半导体元件 的上表面具有两个金属垫；以及 绝缘被覆层，该绝缘被覆层覆盖于该单一晶粒尺寸半导体元件的前侧 面、后侧面、左侧面、右侧面、及底面。 【当前权利人】佳邦科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
