【摘要】 一种半导体装置的制作方法，首先提供设置有至少一栅极的基底，于该栅极旁形成至少一凹槽，进行第一选择性外延生长工艺，于该凹槽内形成第一外延层。随后进行蚀刻工艺，移除部分该第一外延层至暴露出该基底。进行第二选择性外延生长工艺，于该第一外延层上形成第二外延层。 【专利类型】发明申请 【申请人】联华电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810173000.6 【申请日】2008-10-29 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101728267A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101728267B 【授权公告日】2012-11-21 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L21/336; H01L21/20; H01L21/02 【发明人】廖晋毅; 简金城 【主权项内容】一种半导体装置的制作方法，包含有以下步骤：提供基底，该基底上设置有至少一栅极；于该栅极旁形成至少一凹槽；进行第一选择性外延生长工艺，于该凹槽内形成第一外延层；进行蚀刻工艺，移除部分该第一外延层至暴露出该基底；以及进行第二选择性外延生长工艺，于该第一外延层上形成第二外延层。 【当前权利人】联华电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【被引证次数】6 【被他引次数】6.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】6
