【摘要】 一种芯片重新配置的封装结构，包括：一芯片，其主动面上配置有多个焊垫； 一第一高分子材料层，覆盖于芯片的主动面上并通过多个导电柱与焊垫电性连接； 一封胶体，用以包覆芯片的四个面；一第二高分子材料层，覆盖于封胶体以及第一 高分子材料层上并暴露出多个导电柱；多条扇出的金属线段覆盖于第二高分子材料 层上且每一金属线段的一端与每一导电柱电性连接；多个导电元件与每一金属线段 的另一端电性连接；一基板，其由一黏着层与芯片的下表面固接。 【专利类型】发明申请 【申请人】南茂科技股份有限公司; 百慕达南茂科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省新竹科学工业园区新竹县研发一路一号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810127920.4 【申请日】2008-07-02 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101621041A 【公开公告日】2010-01-06 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101621041B 【授权公告日】2011-03-23 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L23/48; H01L23/31; H01L25/00; H01L21/50; H01L21/60; H01L21/56; H01L21/78 【发明人】陈煜仁 【主权项内容】1.一种芯片重新配置的封装结构，包括： 一芯片，具有一主动面及一下表面且于该主动面上配置有多个焊垫； 一第一高分子材料层，覆盖于该芯片的主动面上并曝露出该多个焊垫； 多个导电柱，其配置于该第一高分子材料层之间并与该多个曝露的焊垫电性连 接； 一封胶体，用以包覆该芯片的四个面，且曝露出该芯片的该下表面以及该第一 高分子材料层与这些导电柱； 一第二高分子材料层，覆盖于该封胶体以及该第一高分子材料层上并曝露出该 多个导电柱； 多条扇出的金属线段，其覆盖于该第二高分子材料层上且每一该金属线段的一 端与这些导电柱电性连接； 一保护层，其覆盖于这些金属线段以及该第二高分子材料层上并曝露出这些金 属线段的另一端的一上表面； 多个导电元件，其与这些金属线段的另一端电性连接； 一基板，其由一黏着层与该芯片的该下表面固接。 【当前权利人】南茂科技股份有限公司; 百慕达南茂科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区新竹县研发一路一号; 百慕大汉米顿 【引证次数】2.0 【被引证次数】15 【他引次数】2.0 【被他引次数】15.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】15
