【摘要】 一种铜核层多层封装基板的制作方法，系以一铜核基板为基础开始制作的单面、多层封 装基板。其结构包括一具高刚性支撑的铜板，且此铜板的一面具增层线路，另一面具球侧图 案阻障层。其各增层线路及置晶侧与球侧连接的方式系以数个电镀盲孔、埋孔所导通。因此 ，本发明封装基板的特色在于，具有高密度增层线路以提供电子组件相连时所需的绕线，同 时并以该铜板提供足够的刚性使封装制程可更为简易。藉此，使用本发明所制造的多层封装 基板，可依实际需求形成具该铜核基板支撑的铜核层多层封装基板，并可有效达到改善超薄 核层基板板弯翘问题、及简化传统增层线路板制作流程，进而达到提高封装体接合基板时的 可靠度的目的。 【专利类型】发明申请 【申请人】钰桥半导体股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾台北市松山区延寿街10号1楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810304559.8 【申请日】2008-09-19 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101677068A 【公开公告日】2010-03-24 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101677068B 【授权公告日】2011-10-12 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L21/48; H05K3/44; H05K3/46; H01L21/02 【发明人】林文强; 王家忠; 陈振重 【主权项内容】1.一种铜核层多层封装基板的制作方法，其特征在于至少包含下列 步骤： (A)提供一铜核基板； (B)于该铜核基板的第一面上形成一第一介电层及一第一金属层； (C)于该第一金属层及该第一介电层上形成数个第一开口，并显露部分铜核基板第 一面； (D)于数个第一开口中及该第一金属层上形成一第二金属层； (E)分别于该第二金属层上形成一第一阻层，以及于该铜核基板的第二面上形成一 完全覆盖状的第二阻层，于其中，该第一阻层上并形成数个第二开口，并显露部分的第二金 属层； (F)移除该第二开口下方的第二金属层及第一金属层，并形成一第一线路层； (G)移除该第一阻层及该第二阻层，至此，完成一具有铜核基板支撑并具电性连接 的单层增层线路基板，并可选择直接进行步骤(H)或步骤(I)； (H)于该单层增层线路基板上进行一置晶侧与球侧线路层制作，于其中，在该第一 线路层表面形成一第一防焊层，并且在该第一防焊层上形成数个第三开口，以显露该第一线 路层作为电性连接垫的部分；接着减低该铜核基板第二面的铜厚度，并于减铜后的铜核基板 第二面上形成一第三阻层，且在该第三阻层上形成数个第四开口，之后再分别于数个第三开 口中形成一第一阻障层，以及于第四开口中形成一第二阻障层，最后移除该第三阻层；至此 ，完成一具有完整图案化的置晶侧线路层与已图案化但仍完全电性短路的球侧线路层；以及 (I)于该单层增层线路基板上进行一线路增层结构制作，于其中，在该第一线路层 及该第一介电层表面形成一第二介电层，并且在该第二介电层上形成数个第五开口，以显露 部分的第一线路层。接着于该第二介电层与数个第五开口表面形成一第一晶种层，再分别于 该第一晶种层上形成一第四阻层，以及于该铜核基板的第二面上形成一完全覆盖状的第五阻 层，并于该第四阻层上形成数个第六开口，以显露部分的第一晶种层，之后于该第六开口中 已显露的第一晶种层上形成一第三金属层，最后移除该第四阻层、该第五阻层及该第一晶种 层，以在该第二介电层上形成一第二线路层；至此，完成一具有铜核基板支撑并具电性连接 的双层增层线路基板，并可继续本步骤(I)增加线路增层结构，形成具更多层的封装基板 ，亦或直接至该步骤(H)进行置晶侧与球侧线路层制作。 【当前权利人】钰桥半导体股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾台北市松山区延寿街10号1楼 【被引证次数】4 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】4
