【摘要】 一种光电元件，包含n型覆盖层；p型覆盖层；以及发光层，位于该n 型覆盖层与该p型覆盖层之间。发光层由多个势垒层与多个阱层交错堆叠而 成的多重量子阱结构，其中于最靠近p型覆盖层的势垒层掺入可以改变其势 垒的杂质，以形成势垒调变层。上述元件具有提高发光效率的优点。 【专利类型】发明申请 【申请人】晶元光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810212831.X 【申请日】2008-09-05 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101667612A 【公开公告日】2010-03-10 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101667612B 【授权公告日】2011-11-02 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L33/00; G02F1/13357; H05B37/00 【发明人】朱瑞溢; 郭政达; 许育宾; 王俊凯; 吴欣显; 林义杰 【主权项内容】1.一种光电元件，包含： n型覆盖层； p型覆盖层；以及 发光层，位于该n型覆盖层与该p型覆盖层之间，且该发光层由多个势 垒层与多个阱层交错堆叠而形成多重量子阱结构，其中该多重量子阱结构包 含势垒调变层，该势垒调变层为至少一层最靠近该p型覆盖层的势垒层，且 包含杂质使该势垒调变层的势垒与其他势垒层的势垒不同。 【当前权利人】晶元光电股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【被引证次数】8 【被他引次数】8.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】8
