【摘要】 一种利用微影工艺制作发光二极管的封装胶材的方法，于一承载有复 数个发光二极管芯片的基板上，涂布一光阻层覆盖该些发光二极管芯片， 接着对该光阻层施以曝光、显影，以于该光阻层形成复数个镂空区，且使 该些发光二极管芯片位于该些镂空区中；再接着将一封装胶材填入该些镂 空区，并覆盖该些发光二极管芯片，最后移除该光阻层；如此即可于该些 发光二极管芯片的表面成型出尺寸精确且厚度、形状达一致性的封装胶 材，使得发光二极管芯片所发出的光具有高均匀性及高亮度。此方法亦应 用于制作发光二极管成品。。 【专利类型】发明申请 【申请人】玉晶光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省台中县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810149002.1 【申请日】2008-09-18 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101677070A 【公开公告日】2010-03-24 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L21/56; H01L21/50; H01L33/00 【发明人】陈明言; 陈奉宽; 邱月霞; 吴晓雯 【主权项内容】1.一种利用微影工艺制作发光二极管的封装胶材的方法，包含下列 步骤： 提供一承载有复数个发光二极管芯片的基板； 形成一光阻层于该基板上，并覆盖该些发光二极管芯片； 对该光阻层施以曝光、显影作业，以于该光阻层形成复数个镂空区， 且该些发光二极管芯片位于该些镂空区中； 将一封装胶材填入该些镂空区，并覆盖该些发光二极管芯片；以及 移除该光阻层。 【当前权利人】玉晶光电股份有限公司 【当前专利权人地址】台湾省台中县 【被引证次数】11 【被他引次数】11.0 【家族被引证次数】11
