【摘要】 一种发光装置包含发光结构和磁性源结构。所述发光结构包含第一掺杂结构层、第二掺杂结构层、所述两个掺杂结构层之间的活性层、第一电极和第二电极，其中所述第一电极和所述第二电极分别电耦合到所述第一掺杂结构层和所述第二掺杂结构层。所述磁性源结构邻近于所述发光结构以在所述发光结构中产生磁场。。 【专利类型】发明申请 【申请人】财团法人工业技术研究院 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】中国台湾新竹县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200880124534.8 【申请日】2008-12-26 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101919073A 【公开公告日】2010-12-15 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L33/00; H01L51/50; H01L33/14; H01L33/22; H01L33/38 【发明人】宣融; 徐志豪; 叶文勇; 许镇鹏; 陈振坤; 林坤锋; 蔡政达; 朱慕道 【主权项内容】一种发光装置，其包括：发光结构，其包括第一掺杂结构层、第二掺杂结构层、所述两个掺杂结构层之间的活性层、第一电极和第二电极，其中所述第一电极和所述第二电极分别电耦合到所述第一掺杂结构层和所述第二掺杂结构层；以及磁性结构，其邻近于所述发光结构以在所述发光结构中产生磁场。 【当前权利人】财团法人工业技术研究院 【当前专利权人地址】中国台湾新竹县 【被引证次数】11 【被自引次数】2.0 【被他引次数】9.0 【家族引证次数】27.0 【家族被引证次数】26
