【摘要】 本发明提供一种半导体装置的制造方法。该制造方法包括下列步骤：首 先，在衬底中形成多个凸状结构，且在相邻两个凸状结构之间具有开口。接 着，形成材料层，此材料层覆盖隔离结构，并填满开口，而位于开口上方的 材料层中具有凹陷。之后，在材料层上形成共形的介电层，再进行化学机械 抛光工艺，以移除介电层以及开口以外的材料层。 【专利类型】发明申请 【申请人】茂德科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810146387.6 【申请日】2008-08-27 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101661905A 【公开公告日】2010-03-03 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L21/8247; H01L21/28; H01L21/762; H01L21/70 【发明人】林青彦; 陈文栋; 董人杰; 吴信彦 【主权项内容】1.一种半导体装置的制造方法，包括： 于衬底中形成多个凸状结构，且在相邻两个凸状结构之间具有开口； 形成材料层，且该材料层覆盖该多个凸状结构，并填满该多个开口，而 位于各该开口上方的该材料层中每个具有凹陷； 于该材料层上形成共形的介电层；以及 进行化学机械抛光工艺，以移除该介电层以及该多个开口以外的该材料 层。 【当前权利人】茂德科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园 【被引证次数】4 【被他引次数】4.0 【家族被引证次数】4
