【摘要】 本发明用于一半导体装置的成形方法，包含下列步骤：形成一导电凸块于一底材的一表面；形成一介电层于导电凸块的一周围表面；设置底材于一基材的一表面，使具有介电层的导电凸块适容置于基材的一通孔；去除底材。所形成的半导体装置便包含基材、半导体集成电路及一导电结构。通孔贯设于基材中，半导体集成电路设置于基材中，导电结构设置于通孔中，以与半导体集成电路电性连接。导电结构包含导电凸块以及介电层。导电凸块的纵向尺寸大于通孔的纵向尺寸。介电层仅包覆于导电凸块的周围表面或更包覆于基材的部分表面上。 【专利类型】发明授权 【申请人】南茂科技股份有限公司; 百慕大南茂科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810004686.6 【申请日】2008-01-21 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101494180B 【公开公告日】2010-12-08 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101494180B 【授权公告日】2010-12-08 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/60; H01L23/485; H01L25/00; H01L23/488 【发明人】黄祥铭; 刘安鸿; 李宜璋; 蔡豪殷; 何淑静 【主权项内容】一种用于一半导体装置的成形方法，其特征在于包含下列步骤：(a)形成一导电凸块于一底材的一表面上；(b)形成一介电层于该导电凸块的一周围表面；(c)设置该底材于一基材的一表面上，使具有该介电层的该导电凸块适容置于该基材的一通孔中；以及(d)藉由蚀刻、撕除或磨除以去除该底材。 ： 【当前权利人】南茂科技股份有限公司; 百慕大南茂科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾;
