【摘要】 本发明提供一种形成高压元件深阱的方法，该方法包括：提供一基底，该基底上具有一第一牺牲层；形成一第一图案化遮蔽层于该牺牲层上，并露出一第一开口区；对该第一开口区进行第一离子掺杂，以形成一第一次掺杂区；移除该第一图案化遮蔽层与该第一牺牲层；形成一外延层于该基底上；形成一第二牺牲层于该外延层上；形成一第二图案化遮蔽层于该牺牲层上，并露出第二开口区；对该第二开口区进行第二离子掺杂，以形成一第二次掺杂区；移除该第二图案化遮蔽层；执行一回火步骤，使该第一掺杂区与该第二掺杂区扩散成一深阱；以及移除该第二牺牲层。本发明可缩短阱扩散的时间、减少阱扩散的热预算，可将其他需要外延工艺的高压元件的整合简化。 【专利类型】发明申请 【申请人】世界先进积体电路股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810169633.X 【申请日】2008-10-13 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101728246A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101728246B 【授权公告日】2012-03-21 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L21/04; H01L21/336; H01L21/02 【发明人】杜尚晖; 蔡宏圣; 张睿钧 【主权项内容】一种形成高压元件深阱的方法，其特征在于，所述的方法包括：提供一基底，所述基底上具有一第一牺牲层；形成一第一图案化遮蔽层于所述牺牲层上，并露出一第一开口区；对所述第一开口区进行第一离子掺杂，以形成一第一次掺杂区；移除所述第一图案化遮蔽层与所述第一牺牲层；形成一外延层于所述基底上；形成一第二牺牲层于所述外延层上；形成一第二图案化遮蔽层于所述第二牺牲层上，并露出第二开口区；对所述第二开口区进行第二离子掺杂，以形成一第二次掺杂区；移除所述第二图案化遮蔽层；执行一回火步骤，使所述第一掺杂区与所述第二掺杂区扩散成一深阱；以及移除所述第二牺牲层。 【当前权利人】世界先进积体电路股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【被引证次数】1 【被他引次数】1.0 【家族被引证次数】1
