【摘要】 本发明是关于一种像素结构及其制造方法，所述的像素结构包括依序配置于一基板上的一栅极、一栅极介电层、一具有一位于栅极上方的通道区的图案化的半导体层、一包括一位于栅极上方的蚀刻终止层及多个凸块的图案化的介电层、一包括一反射像素电极及分别覆盖通道区部份区域的一源极与一漏极的图案化的金属层、一平坦化的介电层及一透明像素电极。反射像素电极连接漏极并覆盖多个凸块，以形成一凹凸表面。平坦化的介电层配置于栅极、栅极介电层、图案化的半导体层、源极与漏极所构成的一晶体管上，并具有一接触窗，以暴露出反射像素电极的部分区域。透明像素电极通过接触窗与反射像素电极电性连接。 【专利类型】发明授权 【申请人】友达光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810002056.5 【申请日】2008-01-09 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101217152B 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101217152B 【授权公告日】2010-06-16 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L27/12; H01L23/522; H01L21/84; H01L21/768; G02F1/1362 【发明人】林祥麟; 曹俊杰 【主权项内容】一种像素结构，适于配置于一基板上，其特征在于，所述的像素结构包括：一栅极，配置于所述的基板上；一栅极介电层，配置于所述的基板上以覆盖所述的栅极；一图案化的半导体层，配置于所述的栅极介电层上，所述的图案化的半导体层具有一位于所述的栅极上方的通道区；一图案化的介电层，配置于所述的图案化的半导体层上，其中所述的图案化的介电层包括一位于所述的栅极上方的蚀刻终止层以及多个凸块；一图案化的金属层，包括一源极、一漏极以及一与所述的漏极连接的反射像素电极，其中所述的源极与所述的漏极分别覆盖所述的通道区的部份区域，而所述的反射像素电极覆盖所述的多个凸块，以使所述的反射像素电极形成一凹凸表面，且所述的栅极、所述的栅极介电层、所述的图案化的半导体层、所述的源极与所述的漏极构成一晶体管；一平坦化的介电层，配置于所述的晶体管上，其中所述的平坦化的介电层具有一接触窗，以暴露出所述的反射像素电极的部分区域；以及一透明像素电极，配置于所述的平坦化的介电层上，并通过所述的接触窗与所述的反射像素电极电性连接。 【当前权利人】友达光电股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【引证次数】8.0 【自引次数】2.0 【他引次数】6.0 【家族引证次数】8.0 【家族被引证次数】2
