【摘要】 兹揭示一种咬合式电路结构及其形成方法。上述咬合式电路结构包含基材、位于基材上的介电层、位于介电层中的沟槽，以及填满沟槽并与之咬合的导电材料，而使得导电材料部分嵌入于沟槽中，且部分突出于沟槽外。 【专利类型】发明申请 【申请人】欣兴电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾桃园县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810185204.1 【申请日】2008-12-18 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101754578A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101754578B 【授权公告日】2012-07-18 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H05K1/11; H05K3/38; H01L23/488; H01L23/498; H01L21/48; H01L21/02; H01L23/48 【发明人】余丞博; 黄瀚霈 【主权项内容】一种咬合式电路结构，包含：基材：介电层，位于该基材上；沟槽，位于该介电层中；以及导电材料，填满该沟槽并与该沟槽咬合，使得该导电材料部分嵌入于该沟槽中并部分突出于该沟槽外。 【当前权利人】欣兴电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾桃园县 【被引证次数】4 【被自引次数】2.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】4
