【摘要】 一种修正凸块光掩膜图案的方法，包含：提供晶片，其主动面上具有多个焊垫； 形成光致抗蚀剂层在晶片的主动面上；提供具有第一图案的第一光掩膜层，在此， 第一光掩膜层的第一图案是用以限定出晶片上的有效区域，且有效区域是对应于晶 片的全部区域；执行第一曝光工序，使得第一图案转移到光致抗蚀剂层上；以具有 第二图案的第二光掩膜层取代具有第一图案的第一光掩膜层，并执行第二曝光工 序，使得第二图案转移至光致抗蚀剂层上，在此，第二光掩膜层的第二图案是用以 限定晶片的部份区域，且部份第二图案与部分第一图案重迭；及执行一显影及蚀刻 步骤，以移除第二图案与第一图案的重迭部分，并曝露出在晶片上的有效区域上的 多个焊垫以及移除在全部区域的无效区域上的部分光致抗蚀剂层。 【专利类型】发明申请 【申请人】南茂科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省新竹科学工业园区新竹县研发一路一号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810130467.2 【申请日】2008-07-04 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101620375A 【公开公告日】2010-01-06 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101620375B 【授权公告日】2012-02-08 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】G03F1/14; G03F7/00; G03F7/039; G03F7/20; H01L21/00; G03F1/76 【发明人】傅文勇 【主权项内容】1.一种修正凸块光掩膜图案的方法，包含： 提供一晶片，具有一主动面及一背面； 形成一光致抗蚀剂层在该晶片的该主动面上； 提供一具有第一图案的第一光掩膜层，其中该第一光掩膜层的该第一图案是用 以限定出该晶片上的一有效区域，且该有效区域是对应于该晶片的一全部区域； 执行一第一曝光工序，使得该第一图案转移到该光致抗蚀剂层上； 以一具有第二图案的第二光掩膜层取代具有该第一图案的第一光掩膜层，并执 行一第二曝光工序，使得该第二图案转移到该光致抗蚀剂层上，其中该第二光掩膜 层的该第二图案是用以限定该晶片的部份区域，且该第二曝光工序的剂量大于该第 一曝光工序的剂量；及 执行一显影及蚀刻步骤，以移除该第二图案与该第一图案的重迭部份，并曝露 出在该晶片上的该有效区域以及移除在该全部区域的一无效区域上的部份该光致 抗蚀剂层。 【当前权利人】南茂科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区新竹县研发一路一号 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】2
