【摘要】 本发明提供了一种利用快速热退火处理的高密度磁记录薄膜，其包含一基板；及一铁磁性层，形成于该基板上，其中该铁磁性层在升温速率介于60～100℃/秒、温度介于600～800℃、且持温时间介于5～180秒的条件下进行该快速热退火处理，以获得该高密度磁记录薄膜。 【专利类型】发明申请 【申请人】陈胜吉 【申请人类型】个人 【申请人地址】中国台湾台北市民权东路三段75巷2弄4号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810179350.3 【申请日】2008-12-02 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101747084A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】C04B41/51; C03C17/09; G11B5/84; C23C14/35; C23C14/14; C04B41/45; C03C17/06 【发明人】陈胜吉; 郭博成; 沈智隆; 陈松柏; 张庆瑞 【主权项内容】一种利用快速热退火处理的高密度磁记录薄膜，其包含：一基板；及一铁磁性层，形成于所述基板上，其中所述铁磁性层在升温速率介于60～100℃/秒、温度介于600～800℃、及持温时间介于5～180秒下进行所述快速热退火处理，以获得所述高密度磁记录薄膜。 【当前权利人】陈胜吉 【当前专利权人地址】中国台湾台北市民权东路三段75巷2弄4号
