【摘要】 一种具有镀通孔的装置的制造方法包含下列步骤：将一介电材料层形成于一基材上，其中该介电材料层包含一贯穿孔；将一种子金属层形成于该介电材料层上与该贯穿孔内；将一金属层形成于该种子金属层上，并填满该贯穿孔；借助一旋转蚀刻工艺，将位于该种子金属层的上方与该贯穿孔之外的该金属层蚀刻掉，如此使位于该贯穿孔之内的该金属层形成一下半部；将一上半部形成于该下半部上，且将一金属线路形成在该种子金属层上，其中该上半部与下半部形成一镀通孔，且该镀通孔及该金属线路裸露出部分的该种子金属层；以及将裸露出的该种子金属层蚀刻掉。 【专利类型】发明授权 【申请人】日月光半导体制造股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾高雄市楠梓加工出口区经三路26号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810095823.1 【申请日】2008-04-28 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101266931B 【公开公告日】2010-06-02 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101266931B 【授权公告日】2010-06-02 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/48; H01L21/60; H01L21/768 【发明人】杨学安; 郑博仁 【主权项内容】一种具有镀通孔的装置的制造方法，包含下列步骤：提供一基材，具有至少一接垫；将介电材料层形成于该基材上，其中该介电材料层包含贯穿孔裸露出该接垫，且该贯穿孔具有预定深宽比；将种子金属层形成于该介电材料层上与该贯穿孔内，并电性连接于该接垫；将金属层形成于该种子金属层上，并填满该贯穿孔；借助旋转蚀刻工艺，将位于该种子金属层的上方且在该贯穿孔之外的该金属层蚀刻掉，如此使位于该贯穿孔之内的该金属层形成镀通孔下半部；将镀通孔上半部形成于该镀通孔下半部上，且将金属线路形成在位于该介电材料层的该种子金属层上，其中该镀通孔上半部与镀通孔下半部形成镀通孔，其具有该预定深宽比，且该镀通孔及该金属线路裸露出部分的该种子金属层；以及将裸露出的该种子金属层蚀刻掉，其中该镀通孔上半部与该金属线路的形成步骤包含下列步骤：将一光阻层形成于该种子金属层及该镀通孔下半部上；将该光阻层图案化，以形成至少一第一及第二贯穿开孔，其中该第一贯穿开孔裸露出该镀通孔下半部，且该第二贯穿开孔裸露出部分的该种子金属层；以及将一金属材料电镀于该第一及第二贯穿开孔中，其中位于该第一贯穿开孔之内的该金属材料形成该镀通孔上半部，且位于该第二贯穿开孔之内的该金属材料形成该金属线路。 【当前权利人】日月光半导体制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾高雄市楠梓加工出口区经三路26号 【引证次数】4.0 【自引次数】1.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】4
