【摘要】 一种闪存存储装置，其包含多值式闪存以及写入控制单元。多值式闪存包含若干个实体记忆单元，以形成第一页面和第二页面。写入控制单元用来于接收第一请求将第一数据写入第一页面时，将第一资料写入第一页面并将第一数据复制为第二数据，再将第二数据写入第二页面。每一实体记忆单元的临界电压范围包含四个电压区间，用来表示二比特数据。当二比特数据存储第一实体记忆单元，使得第一实体记忆单元的临界电压介于第一电压区间以及第二电压区间时，判定该二比特数据符合第一逻辑值，当二比特数据存储于第二实体记忆单元，使得第二实体记忆单元的临界电压介于第三电压区间以及第四电压区间时，判定该二比特数据符合第二逻辑值。 【专利类型】发明申请 【申请人】创惟科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾台北县新店市北新路三段205号12楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810175931.X 【申请日】2008-10-30 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101727985A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】G11C16/10; G11C16/26; G11C16/06 【发明人】陈如芃 【主权项内容】一种闪存存储装置，其包含：一多值式闪存，其包含若干个实体记忆单元，所述若干个实体记忆单元形成一第一页面以及一第二页面；以及一写入控制单元，用来于接收一第一请求将一第一数据写入所述第一页面时，将所述第一资料写入所述第一页面并将所述第一数据复制为一第二数据，再将所述第二资料写入所述第二页面，其特征在于：每一实体记忆单元的临界电压范围包含四个电压区间，每一电压区间用来表示二比特数据，当所述二比特数据存储于所述等实体记忆单元的一第一实体记忆单元，使得所述第一实体记忆单元的临界电压介于一第一电压区间以及一第二电压区间时，判定所述二比特数据符合一第一逻辑值，当所述二比特数据存储于所述实体记忆单元的一第二实体记忆单元，使得所述第二实体记忆单元的临界电压介于一第三电压区间以及一第四电压区间时，判定所述二比特数据符合一第二逻辑值。 【当前权利人】创惟科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾台北县新店市北新路三段205号12楼
