【摘要】 一种薄膜晶体管的制造方法。首先，在基板上形成栅极。然后，在基板 上形成栅绝缘层，以覆盖栅极。接着，在栅绝缘层上形成金属氧化物材料层。 而后，在金属氧化物材料层上形成光致抗蚀剂层，其中栅极上方的光致抗蚀 剂层的厚度大于栅极两侧上方的光致抗蚀剂层的厚度。随后，以光致抗蚀剂 层为掩模，移除部份金属氧化物材料层，以形成金属氧化物有源层。然后， 移除栅极两侧上方的光致抗蚀剂层，使留下来的光致抗蚀剂层覆盖部分金属 氧化物有源层。而后，在覆盖有光致抗蚀剂层的金属氧化物有源层上形成源 极与漏极。 【专利类型】发明申请 【申请人】台湾薄膜电晶体液晶显示器产业协会; 中华映管股份有限公司; 友达光电股份有限公司; 瀚宇彩晶股份有限公司; 奇美电子股份有限公司; 财团法人工业技术研究院 【申请人类型】企业,科研单位,机关团体 【申请人地址】中国台湾新竹县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810136065.3 【申请日】2008-07-11 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101625977A 【公开公告日】2010-01-13 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101625977B 【授权公告日】2011-08-31 【授权公告年份】2011.0 【发明人】罗方祯; 梁硕玮; 姜信铨; 陈兆南; 余锦智 【主权项内容】1.一种薄膜晶体管的制造方法，包括： 于基板上形成栅极； 于该基板上形成栅绝缘层，以覆盖该栅极； 于该栅绝缘层上形成金属氧化物材料层； 于该金属氧化物材料层上形成光致抗蚀剂层，其中该栅极上方的该光致 抗蚀剂层的厚度大于该栅极两侧上方的该光致抗蚀剂层的厚度； 以该光致抗蚀剂层为掩模，移除部份该金属氧化物材料层，以形成金属 氧化物有源层； 移除该栅极两侧上方的该光致抗蚀剂层，使留下来的该光致抗蚀剂层覆 盖部分该金属氧化物有源层；以及 于覆盖有该光致抗蚀剂层的该金属氧化物有源层上形成源极与漏极。 【当前权利人】台湾薄膜电晶体液晶显示器产业协会; 中华映管股份有限公司; 友达光电股份有限公司; 瀚宇彩晶股份有限公司; 奇美电子股份有限公司; 财团法人工业技术研究院 【当前专利权人地址】中国台湾新竹县; 中国台湾桃园市龙潭区华映路1号; 中国台湾新竹科学工业园区; 中国台湾台北市内湖区行善路168巷15号4楼; 中国台湾台南县; 中国台湾新竹县 【被引证次数】13 【被自引次数】5.0 【家族被引证次数】13
