【摘要】 ： 。本发明是一种储能元件封装结构，包括储能元件、第一金属基板、第二金属基板、第一接合元件、第二接合元件、以及绝缘结构。储能元件具有至少一正极接点及至少一负极接点，第一金属基板的一端是作为外部正极端，第二金属基板的一端是作为外部负极端，第一接合元件是用以接合至少一正极接点与第一金属基板，第二接合元件是用以接合至少一负极接点与第二金属基板。除露出外部正极端及外部负极端之外，绝缘结构包覆在储能元件、第一金属基板、第二金属基板、第一接合元件、以及第二接合元件的外面。 【专利类型】发明申请 【申请人】詹前疆 【申请人类型】个人 【申请人地址】中国台湾台北县中和市中安街210号14楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810181592.6 【申请日】2008-11-25 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740235A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01G9/08; H01M10/04; H01M2/20; H01M50/502 【发明人】詹前疆 【主权项内容】一种储能元件的封装结构，其特征在于包含：一储能元件，具有至少一正极接点及至少一负极接点；一基板，其上具有一第一导线及一第二导线；一第一接合元件，用以接合该至少一正极接点与该第一导线；一第二接合元件，用以接合该至少一负极接点与该第二导线；以及一绝缘结构，包覆于该储能元件、该基板、该第一接合元件、以及该第二接合元件外。 【当前权利人】詹前疆 【当前专利权人地址】中国台湾台北县中和市中安街210号14楼 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族被引证次数】2
