【摘要】 本发明揭露一种制造高散热发光元件的方法，包含提供具有发光结构的 晶片，包含生长基板；发光叠层，形成于生长基板之上；第一欧姆接触层， 形成于发光叠层之上；与至少一第一垫片，形成于第一欧姆接触层的第一表 面之上。将暂时载体连接至第一表面与第一垫片之上，接者移除生长基板以 裸露发光叠层的第一表面。在发光叠层的第一表面形成第二欧姆接触层与反 射层，其中第二欧姆接触层被反射层围绕。将具有发光结构的晶片移除暂时 载体后，分离形成多个发光晶粒，并将各个发光晶粒分别连接至各个高散热 基板，以形成发光元件，其中高散热基板的上表面积大于发光晶粒的下表面 积。 【专利类型】发明申请 【申请人】晶元光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810213771.3 【申请日】2008-09-04 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101667613A 【公开公告日】2010-03-10 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101667613B 【授权公告日】2012-06-13 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L33/00; H01L21/50; H01L23/367 【发明人】林锦源; 陈怡名 【主权项内容】1.一种制造发光元件的方法，其步骤包含： 提供具有发光结构的晶片，包含： 生长基板； 发光叠层，形成于该生长基板之上，该发光叠层具有发光叠层的第一 表面；以及 第一欧姆接触层，形成于该发光叠层之上，该第一欧姆接触层具有第 一欧姆接触层的第一表面； 连接暂时载体于该第一欧姆接触层的第一表面； 于连接该暂时载体之后，移除该生长基板； 分离该具有发光结构的晶片以形成至少一发光晶粒；以及 于该发光晶粒形成之后，连接该发光晶粒于一高散热基板，其中该高散 热基板的一上表面的表面积至少为该发光晶粒的一下表面的表面积至少1.5 倍。 【当前权利人】晶元光电股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市
