【摘要】 本发明公开了一种相变化内存及其制造方法，该相变化内存包含下电 极；相变化间隙壁与该下电极接触；电学传导层，具有垂直部分及水平部分， 其中该电学传导层经由其水平部分与该相变化间隙壁电学接触；以及，上电 极，其中该上电极经由该电学传导层的垂直部分与该电学传导层电学连接。 【专利类型】发明申请 【申请人】财团法人工业技术研究院; 力晶半导体股份有限公司; 南亚科技股份有限公司; 茂德科技股份有限公司; 华邦电子股份有限公司 【申请人类型】企业,科研单位 【申请人地址】中国台湾新竹县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810178629.X 【申请日】2008-11-21 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101626060A 【公开公告日】2010-01-13 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101626060B 【授权公告日】2011-06-29 【授权公告年份】2011.0 【发明人】陈达; 蔡铭进 【主权项内容】1.一种相变化内存组件，包含： 下电极； 相变化间隙壁与该下电极接触； 电学传导层，具有垂直部分及水平部分，其中该电学传导层经由该水平 部分与该相变化间隙壁电学接触；以及 上电极，其中该上电极经由该电学传导层的垂直部分与该电学传导层电 学连接。 【当前权利人】西格斯教育资本有限责任公司 【当前专利权人地址】美国特拉华州 【被引证次数】10 【家族被引证次数】28
