【摘要】 本发明涉及一种欧姆接触式射频开关，包括绝缘材料衬底、下电 极，还包括偏置线、金属桥及偏置电阻，所述金属桥的两端跨接在分 开的CPW地极上；所述偏置线穿过所述金属桥连接至所述偏置电阻， 对所述下电极进行驱动。本发明还对应提出一种欧姆接触式射频开关 的集成工艺。本发明的技术方案使用玻璃、陶瓷等绝缘材料作为衬底， 利用PECVD工艺制作的非晶硅薄膜作为偏置电阻，实现了偏置电阻 的片上集成；同时通过特殊的工艺步骤，实现了欧姆接触式射频开关， 使其保持了MEMS器件的可集成、偏置电路简单等优点。 【专利类型】发明申请 【申请人】清华大学; 上海得倍电子技术有限公司 【申请人类型】企业,学校 【申请人地址】100084北京市海淀区清华园北京100084-82信箱 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810240374.5 【申请日】2008-12-19 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101620952A 【公开公告日】2010-01-06 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101620952B 【授权公告日】2012-06-20 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01H59/00; H01P1/10; H01H11/00; B81C1/00 【发明人】刘泽文; 侯智昊; 李志坚; 刘红超 【主权项内容】1、一种欧姆接触式射频开关，包括绝缘材料衬底、下电极，其 特征在于，还包括偏置线、金属桥及偏置电阻， 所述金属桥的两端跨接在分开的CPW地极上； 所述偏置线穿过所述金属桥连接至所述偏置电阻，对所述下电极 进行驱动。 【当前权利人】清华大学; 上海得倍电子技术有限公司 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华园北京100084-82信箱; 上海市浦东新区张江高科技园区张东路1388号24幢02室一层、三层 【专利权人类型】公立; 有限责任公司(自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】12100000400000624D; 91310115759034388G 【被引证次数】19 【被自引次数】5.0 【被他引次数】14.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】19
