【摘要】 一种光传感器包含薄膜晶体管阵列、感光元件阵列及保护层。所述感 光元件阵列电连接于所述薄膜晶体管，其中每一感光元件包含上电极层。 所述保护层用于覆盖所述感光元件阵列及所述薄膜晶体管阵列，并包含上 层及下层，其中所述下层配置于所述感光元件阵列的上电极层上，所述上 层配置于所述下层上，且所述下层的折射率大于所述上层的折射率。 【专利类型】发明申请 【申请人】瀚宇彩晶股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾台北县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810149209.9 【申请日】2008-09-17 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101677104A 【公开公告日】2010-03-24 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L27/144; G01T1/20; G01T1/24; G01T1/00 【发明人】蔡志鸿; 徐睿腾; 刘挺中; 萧建智 【主权项内容】1、一种光传感器包含： 薄膜晶体管阵列； 感光元件阵列，电连接于所述薄膜晶体管阵列，其中每一感光元件包 含上电极层；以及 保护层，用于覆盖所述感光元件阵列及所述薄膜晶体管阵列，并包含 上层及下层，其中所述下层配置于所述感光元件阵列的上电极层上，所述 上层配置于所述下层上，且所述下层的折射率大于所述上层的折射率。 【当前权利人】瀚宇彩晶股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾台北县 【被引证次数】8 【被他引次数】8.0 【家族被引证次数】8
